Zeramikazko Mintza Iragazte Makina Esperimentala BONA-GM-22
| No | Elementua | Datuak |
| 1 | produktuaren izena | Zeramikazko Mintza Iragazte Makina Esperimentala |
| 2 | Eredu zenbakia. | BONA-GM-22 |
| 3 | Iragazte-zehaztasuna | MF/UF |
| 4 | Iragazte-tasa | 1-10L/H |
| 5 | Gutxieneko Zirkulazio Bolumena | 0.2L |
| 6 | Elikadura Depositua | 1,1L/10L |
| 7 | Diseinuaren Presioa | - |
| 8 | Lan-presioa | ≤ 0,4 MPa |
| 9 | PH barrutia | 1-14 |
| 10 | Laneko Tenperatura | 5-55 ℃ |
| 11 | Potentzia osoa | 350W |
| 12 | Makina Materiala | SUS304/316L/Pertsonalizatua |
1. Ponpak tenperatura gehiegizko babes automatikoko funtzio batekin hornituta dago, tenperatura gehiegizko itzaltze automatikoa egiten duena eta likido esperimentalaren eta iragazketa-ekipoen erabateko segurtasuna bermatzen duena.
2. Makina esperimentalak egitura integratua hartzen du, funtzionatzeko erraza da, mugitzeko erraza da eta ekipamenduaren gainazalean ez dago hildako izkina sanitariorik, GMPren baldintzak betetzen ditu.
3. Ekipoen hodien barruko eta kanpoko gainazalak kalitate onekoak dira, leunak eta lauak, garbiak eta higienikoak, seguruak eta fidagarriak, ekipamenduaren presio eta korrosioarekiko erresistentzia berma dezake.
4. Ekipamenduaren euskarria eskuila/leunduta dago, eta soldadura xerra, kanpoko ipurdia eta hodiaren amaiera leunduta eta leuna dira.
5. Zeramikazko mintzaren elementuen beste poroen tamaina (20nm-1400nm) ordezkatu daiteke.
6. Mintzaren oskolak argon betetzeko babes automatikoa, alde bakarreko soldadura, alde biko moldaketa, segurtasuna eta higienea hartzen ditu.
50nm, 100nm, 200nm, 400nm, 600nm, 800nm, 1um, 1.2um, 1.5um, 2um, 30nm, 20nm, 12nm, 10nm, 5nm, 3nm etab.
1. Propietate kimiko egonkorrak, azidoen erresistentzia, alkali erresistentzia eta oxidazio erresistentzia.
2. Disolbatzaile organikoen erresistentzia, tenperatura altuko erresistentzia.
3. Erresistentzia mekaniko handia eta higadura erresistentzia ona.
4. Bizitza luzea eta prozesatzeko ahalmen handia.
5. Poroen tamainaren banaketa, bereizketa zehaztasun handia, Nanoeskala arte.
6. Erraza garbitzen da, linean edo tenperatura altuan esteriliza daiteke eta atzera-hustu daiteke.
